課程內(nèi)容：

1 隔離

1.1 隔離的必要性-集成電路的構(gòu)成特點(diǎn)

1.1.1 各元器件制作于同一芯片上

1.1.2 若干元器件通過布線連接構(gòu)成電路性能

1.1.3 電路性能要求各元器件不處于同一電性狀態(tài)

1.2 考慮電性隔離的集成電路制造步驟

1.2.1 用絕緣物作隔離墻分割出隔離島

1.2.2 在各隔離島內(nèi)制造響應(yīng)的元器件

1.2.3 通過布線連接達(dá)到電路功能

1.3 隔離要求

1.3.1 隔離性能要好

1.3.2 工藝上具有可能性、簡易性和相容性

1.3.3 隔離墻占有的實(shí)際面積要小

2 隔離種類

2.1 pn結(jié)隔離

2.2 介質(zhì)隔離

2.2.1 SiO2介質(zhì)隔離

2.2.1 V型槽介質(zhì)隔離

2.3 pn結(jié)-介質(zhì)混合隔離

2.3.1 等平面混合隔離

2.3.2 多孔硅氧化混合隔離

2.3.3 V型槽混合隔離

3 隔離質(zhì)量的影響

3.1 隔離質(zhì)量是保證集成電路性能的關(guān)鍵因素

3.1.1 各隔離墻必須同時(shí)起到隔離作用

3.1.2 所有隔離墻必須均具有高穩(wěn)定和高可靠

3.2 隔離是提高集成度的關(guān)鍵因素

3.2.1 pn結(jié)隔離工藝中隔離墻占有的實(shí)際面積分析

3.2.2 介質(zhì)隔離工藝中隔離墻占有的實(shí)際面積分析

課程重點(diǎn)：本節(jié)介紹了隔離的有關(guān)基本知識(shí)。首先介紹了什么是隔離，指出了隔離制造在集成電路制造中的必要性，由集成電路的構(gòu)成的三個(gè)特點(diǎn)（各元器件制作于同一芯片上、若干元器件通過布線連接構(gòu)成電路性能、電路性能要求各元器件不處于同一電性狀態(tài)），則必須進(jìn)行隔離制造。敘述了考慮電性隔離的集成電路制造步驟，指出：由于考慮了各元器件間電性隔離，則在元器件布局時(shí)，必須考慮元器件間電性能是否相同，然后用絕緣物作隔離墻分割出大小不一的隔離島；再在各個(gè)隔離島內(nèi)排布元器件（同態(tài)可同島、異態(tài)必異島）；布線連接各元器件達(dá)到電路功能。討論了隔離要求，提出了三個(gè)要求并進(jìn)行了討論；其一是隔離性能要好，主要指隔離墻的漏電流要小、擊穿電壓要高、帶入的電容效應(yīng)要?。黄涠枪に嚿暇哂锌赡苄?、簡易性和相容性，可能性是指能用一定的工藝手段完成，是指工藝上的簡單易操作，相容性是指與現(xiàn)行的工藝（如硅外延平面工藝）能相容合；其三是隔離墻占有的實(shí)際面積要小，這是提高集成度的要求。介紹了隔離種類，總共介紹了pn結(jié)隔離、介質(zhì)隔離（SiO2介質(zhì)隔離、V型槽介質(zhì)隔離）和pn結(jié)-介質(zhì)混合隔離（ 等平面混合隔離、多孔硅氧化混合隔離、V型槽混合隔離）三類六種隔離方式，并對(duì)各種方式進(jìn)行了討論。 本節(jié)還介紹了隔離質(zhì)量對(duì)集成電路制造的影響，指出：隔離質(zhì)量是保證集成電路性能的關(guān)鍵因素，這是指集成電路中各隔離墻必須同時(shí)起到隔離作用、 所有隔離墻必須均具有高穩(wěn)定和高可靠；隔離是提高集成度的關(guān)鍵因素，這是指集成電路制造中不同的隔離工藝隔離墻占有的實(shí)際面積不同、則對(duì)集成度影響不同，對(duì)pn結(jié)隔離工藝中隔離墻占有的實(shí)際面積和介質(zhì)隔離工藝中隔離墻占有的實(shí)際面積進(jìn)行了對(duì)比分析。

課程難點(diǎn)：什么是隔離、隔離制造在集成電路制造中的必要性、如何進(jìn)行考慮電性隔離的集成電路制造步驟的安排、隔離制造有什么性能要求。隔離方法有幾種、常用的又有幾種。隔離制造的質(zhì)量是如何影響集成電路制造和性能的。 基本概念：

1 隔離-指集成電路制造中使在電性能上需要隔離的元器件實(shí)現(xiàn)絕緣隔離的過程。

2隔離墻-指集成電路制造中制造的使元器件在電性能上實(shí)現(xiàn)絕緣隔離的絕緣物。

3 隔離島-指集成電路制造中被絕緣物隔離開來的用于制造器件的電性區(qū)。

4 pn結(jié)隔離-利用反向pn結(jié)的大電阻特性作為絕緣物實(shí)現(xiàn)的電性區(qū)之間的電性隔離過程。

5介質(zhì)隔離-用絕緣介質(zhì)作為絕緣物實(shí)現(xiàn)的電性區(qū)之間的電性隔離過程。

6 SiO2介質(zhì)隔離-用絕緣SiO2介質(zhì)作為絕緣物實(shí)現(xiàn)的電性區(qū)之間的電性隔離過程。

7 pn結(jié)-介質(zhì)混合隔離-實(shí)現(xiàn)的電性區(qū)之間的電性隔離的絕緣物既有反向pn結(jié)又有絕緣介質(zhì)的隔離過程。

基本要求：要求知道什么是隔離的定義、含義。清楚隔離制造在集成電路制造中的必要性，為什么說不解決隔離問題集成電路制造就是一句空話。能夠進(jìn)行考慮電性隔離的集成電路制造步驟的安排，知道如何進(jìn)行電性區(qū)的劃分、如何在各個(gè)電性區(qū)內(nèi)合理安排元器件、如何通過布線構(gòu)成集成電路的功能。清楚的了解隔離制造有什么性能要求，對(duì)隔離墻的性能要求有哪些、對(duì)制造隔離墻的制造工藝要求有哪些。清楚隔離方法有幾類多少種，熟悉常用的有幾種。清楚的知道隔離制造的質(zhì)量是如何影響集成電路制造和性能的，知道隔離墻的質(zhì)量是如何影響集成電路制造和性能的、清楚為何說隔離是提高集成度的關(guān)鍵因素。