課程內(nèi)容：

1 pn結(jié)隔離工藝

1.1 pn結(jié)隔離原理

1.1.1 采用了p型襯底

1.1.2 采用了n型外延層

1.1.3 采用了高濃度p型隔離墻

1.2 pn結(jié)隔離工藝流程

1.3 pn結(jié)隔離工藝的幾點說明

1.3.1 有關(guān)隔離擴(kuò)散深度

1.3.2 對是否擴(kuò)穿外延層的測定

1.3.3 隔離墻擊穿電壓及隔離特性判定

1.4 pn結(jié)隔離的優(yōu)缺點

1.4.1 pn結(jié)隔離的優(yōu)點

1.4.2 pn結(jié)隔離的缺點

2 SiO2介質(zhì)隔離工藝

2.1 SiO2介質(zhì)隔離原理

2.2 SiO2介質(zhì)隔離工藝流程

2.3 SiO2介質(zhì)隔離工藝的幾點說明

2.3.1 隔離氧化前需對硅片進(jìn)行嚴(yán)格的厚度分檔

2.3.2 原始硅片兩面必須嚴(yán)格平行

2.3.3 刻槽深度考慮

2.3.4 刻槽采用的雙層掩蔽膜工藝

3 V型槽介質(zhì)隔離工藝簡介

3.1 隔構(gòu)結(jié)構(gòu)

3.2 V型槽介質(zhì)隔離工藝流程

3.3 V型槽介質(zhì)隔離工藝特點

課程重點：本節(jié)介紹了幾種常見的隔離工藝、隔離原理及它們的隔離特點。介紹了pn結(jié)隔離工藝，討論了采用反向pn結(jié)隔離的原理，其工藝特點是采用了p型襯底 、采用了n型外延層、采用了高濃度p型隔離墻 。 介紹了pn結(jié)工藝流程，由工藝流程可以看出隔離制造采用了隔離氧化、隔離光課和隔離擴(kuò)散三步工藝。對 pn結(jié)隔離工藝作了幾點說明，指出有關(guān)擴(kuò)穿外延層的隔離擴(kuò)散深度，必須考慮外延層向襯底的推移深度；有關(guān)對是否擴(kuò)穿外延層的測定，是分別在襯底-隔離墻之間加正負(fù)和負(fù)正電壓、測其電阻值來判定的；有關(guān)隔離墻擊穿電壓及隔離特性判定，則是在相鄰的兩隔離島上加電壓進(jìn)行測量的。介紹了pn結(jié)隔離的優(yōu)缺點，給出了三條優(yōu)點、四條缺點。介紹了SiO2介質(zhì)隔離工藝，討論了采用絕緣介質(zhì)SiO2進(jìn)行隔離的原理。介紹了SiO2介質(zhì)隔離工藝流程，由工藝流程可以看出隔離制造采用了與平面工藝基本不相容的工藝技術(shù)來形成隔離墻的，在工藝流程中出現(xiàn)了象刻槽、多晶硅生長、兩次不同的研磨等特殊工藝。對SiO2介質(zhì)隔離工藝作了幾點說明，指出由于要進(jìn)行兩次研磨則要求隔離氧化前需對硅片進(jìn)行嚴(yán)格的厚度分檔、以使各片研磨效果相同；同理，要求原始硅片兩面必須嚴(yán)格平行、以使各片本身各圖形的的研磨效果相同；有關(guān)刻槽深度，給出了四個影響因素；由于刻槽深度較大，指出需采用二氧化硅和鋁膜雙層掩蔽膜工藝進(jìn)行掩蔽刻槽。介紹了SiO2介質(zhì)隔離的優(yōu)缺點，給出了四條優(yōu)點、五條缺點。對V型槽介質(zhì)隔離工藝進(jìn)行了簡單介紹，從結(jié)構(gòu)和工藝流程看均與SiO2介質(zhì)隔離相似，不同的是由于用（100）面晶片取代了（111）面晶片，其結(jié)構(gòu)由U型槽介質(zhì)隔離變?yōu)?/SPAN>V型槽介質(zhì)隔離，是隔離墻實際占據(jù)面積減小，集成度得到提高。

課程難點：采用反向pn結(jié)實現(xiàn)隔離的原理，原理分析。從pn結(jié)隔離工藝工藝結(jié)構(gòu)分析，為什么其工藝特點是采用了p型襯底、采用了n型外延層和采用了高濃度p型隔離墻。在pn結(jié)隔離工藝中為什么要求隔離擴(kuò)散擴(kuò)穿外延層，其隔離擴(kuò)散深度是如何考慮的。對隔離擴(kuò)散是否擴(kuò)穿外延層的測量及其原理。對隔離性能的測量及其原理。采用絕緣介質(zhì)SiO2進(jìn)行隔離的原理，原理分析。其工藝與pn結(jié)隔離工藝相比有什么不同，這導(dǎo)致了在優(yōu)缺點對比上有什么不同。對SiO2介質(zhì)隔離工藝作了幾點說明中，為什么要求隔離氧化前需對硅片進(jìn)行嚴(yán)格的厚度分檔，為什么要求原始硅片兩面必須嚴(yán)格平行，有關(guān)刻槽深度給出的四個影響因素是如何決定刻槽深度的，為什么采用二氧化硅和鋁膜雙層掩蔽膜工藝進(jìn)行掩蔽刻槽。V型槽介質(zhì)隔離工藝與SiO2介質(zhì)隔離工藝性能的對比，顯現(xiàn)各自的特點。

基本概念：無

基本要求：清楚的知道采用反向pn結(jié)實現(xiàn)隔離的原理，能夠進(jìn)行能原理分析。從pn結(jié)隔離工藝工藝結(jié)構(gòu)分析入手，知道為什么其工藝特點是采用了p型襯底、采用了n型外延層和采用了高濃度p型隔離墻。清楚了解在pn結(jié)隔離工藝中為什么要求隔離擴(kuò)散擴(kuò)穿外延層，知道其隔離擴(kuò)散深度是如何考慮的。知道對隔離擴(kuò)散是否擴(kuò)穿外延層是如何測量的，了解其測量的原理。知道對隔離性能是如何測量的，了解其測量的原理。清楚的知道采用絕緣介質(zhì)SiO2進(jìn)行隔離的原理，能夠進(jìn)行原理分析。清楚SiO2介質(zhì)隔離工藝與pn結(jié)隔離工藝相比有什么不同，知道這導(dǎo)致了在優(yōu)缺點對比上有哪些不同。知道對SiO2介質(zhì)隔離工藝作的幾點說明，了解為什么要求隔離氧化前需對硅片進(jìn)行嚴(yán)格的厚度分檔，了解為什么要求原始硅片兩面必須嚴(yán)格平行，知道有關(guān)刻槽深度給出的四個影響因素是如何決定刻槽深度的，清楚為什么采用二氧化硅和鋁膜雙層掩蔽膜工藝進(jìn)行掩蔽刻槽。了解V型槽介質(zhì)隔離工藝與SiO2介質(zhì)隔離工藝性能的對比，知道對比中如何顯現(xiàn)各自的特點。

第七章 隔離工藝與原理作業(yè)