Microsemi推出快速恢復(fù)二極管 適合500和600-V應(yīng)用
出處：blueice119 發(fā)布于：2007-11-30 10:33:49
與早期的器件相比，先進的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關(guān)損耗。MOS 8 H-FREDFET具有MOS 8 FREDFET的所有特點與優(yōu)點，低導(dǎo)通電阻RDS(on)，體二極管的恢復(fù)速度小于或等于200ns。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應(yīng)用中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓撲。所有MOS 8 H-FREDFET器件都經(jīng)過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。
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