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NTD4858NT4G

更新時間:2025-07-05 13:35:44

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NTD4858NT4G外觀圖

NTD4858NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4858NT4G 概述

NTD4858NT4G是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用TSOP-6封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值為20mΩ。該器件適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電池管理等高效功率轉(zhuǎn)換應用場合。在需要快速開關(guān)和低損耗的電路中表現(xiàn)出色。使用時應注意其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流額定值需依據(jù)具體散熱條件確定，以避免過熱損壞。設計電路時要確保驅(qū)動電壓足夠使MOSFET完全導通，并且合理布局以優(yōu)化散熱性能。

NTD4858NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.2 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1563pF @ 12V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD4858NT4G-NDNTD4858NT4GOSTR

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