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NTD4858N-35G

更新時間:2025-06-17 11:07:24

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產品型號
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說明
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NTD4858N-35G外觀圖

NTD4858N-35G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

封裝:TO-251-3 短截引線，IPak

NTD4858N-35G 概述

NTD4858N-35G是ON Semiconductor（安森美半導體）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的功率MOSFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、直流-直流轉換器等功率管理應用。在計算機、通信設備及消費類電子產品中常被用作電源管理的關鍵組件。例如，在筆記本電腦的電源適配器電路中，可用于實現(xiàn)高效能的能量轉換；在服務器電源系統(tǒng)里，則有助于提升整體能效比。在使用時應注意其最大電壓、電流限制，并確保散熱設計合理以避免過熱損壞。根據(jù)具體電路需求選擇適當?shù)臇艠O驅動電阻值來優(yōu)化開關速度也是實際應用中的一個關鍵點。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用場景，需特別關注均流問題，防止個別元件過載。

NTD4858N-35G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.2 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1563pF @ 12V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短截引線，IPak
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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