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NTD50N03R
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高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
NTD50N03R
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原裝現(xiàn)貨
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終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
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官網(wǎng)可查icscjh.com
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TSSOP/23+
原裝現(xiàn)貨
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Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Ch...
ON SEMICONDUCTOR
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Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Ch...
ON Semiconductor
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Power MOSFET
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NTD50N03R-35
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD50N03R-35G
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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今天同步控制器架構(gòu)的性能限制。安森美半導(dǎo)體的pwm控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺。" 完整的解決方案 除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。 供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無鉛qfn封裝?，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請發(fā)送郵件至michael.stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與mike stapleton聯(lián)系。 ncp5381拓展了安森美半
同步控制器架構(gòu)的性能限制。安森美半導(dǎo)體的pwm控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺?！?完整的解決方案 除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。 供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無鉛qfn封裝。 ncp5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立產(chǎn)品的產(chǎn)品系列。 來源:小草
產(chǎn)品型號:NTD50N03RG
源漏極間雪崩電壓VBR(V):25
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):11.700
最大漏極電流Id(on)(A):45
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,45A,N溝道MOSFET
價(jià)格/1片(套):暫無
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制器架構(gòu)的性能限制。安森美半導(dǎo)體的pwm控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺。" 完整的解決方案 除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。 供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無鉛qfn封裝?，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請發(fā)送郵件至michael.stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與mike stapleton聯(lián)系。 ncp5
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