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NTD4906N-1G

更新時間:2025-07-06 23:06:44

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
NTD4906N-1G
BOM配單
只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市君云達(dá)電子科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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深圳市金銳力科技有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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假一罰十，原裝進(jìn)口現(xiàn)貨供應(yīng)，只做原裝

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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TO251/2024+
只做原廠原裝假一罰十可含稅

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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原裝特價提供樣品

深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號NTD4906N-1G

深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

深圳華盛半導(dǎo)體集團(tuán)有限公司
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亞太地區(qū)一級代理，二十年BOM配單專家，原裝現(xiàn)貨

杭州丹駿電子科技有限公司
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一站式配單，只做原裝

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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深圳市百諾芯科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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NTD4906N-1G
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NTD4906N-1G 概述

NTD4906N-1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-223封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為0.033歐姆。其最大漏源電壓（VDS）可達(dá)30V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃下可高達(dá)7.2A。由于這些特點，它常被用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電源管理電路等應(yīng)用場景。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意合理設(shè)計PCB布局以確保良好的散熱性能，避免過高的工作溫度影響器件可靠性。對于低功耗便攜式設(shè)備的電源管理部分，這款MOSFET是一個不錯的選擇。

NTD4906N-1G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
54 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
8 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
IPAK
封裝
Rail
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2.6 W

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