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NTD4857NT4G

更新時間:2025-06-13 20:51:51

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市宏世佳電子科技有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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深圳市能元時代電子有限公司
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ON Semiconductor(安森美)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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深圳市金燦利電子科技有限公司
NTD4857NT4G
128000
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

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NTD4857NT4G外觀圖

NTD4857NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4857NT4G 概述

NTD4857NT4G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的TSOP-6封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅(qū)動下典型Rds(on)值為30mΩ。其最大漏源電壓（Vds）可達-30V，連續(xù)漏極電流(Id)最高支持-4.1A。這款MOSFET適用于電池供電設(shè)備、負載開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效電源管理的應用場景。在實際應用中，建議將柵極驅(qū)動電壓保持在推薦范圍內(nèi)以確保最佳性能，并注意合理設(shè)計PCB布局以優(yōu)化散熱效果。由于其緊湊的封裝尺寸，特別適合空間受限的設(shè)計要求。在電路設(shè)計時應注意防止靜電損壞，并遵循標準的MOSFET使用準則。

NTD4857NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.7 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1960pF @ 12V
功率 - 最大
1.31W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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