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NTB4302G

更新時間:2025-06-20 01:36:21

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NTB4302G外觀圖

NTB4302G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB4302G 概述

NTB4302G是一款由ON Semiconductor公司生產的雙N溝道MOSFET，采用超小型3 mm x 3 mm DFN封裝。該MOSFET專為高效功率轉換應用而設計，在4.5V柵源電壓下最大導通電阻僅為26mΩ，能夠有效降低導通損耗。其最大漏極電流可達5.8A，適用于負載開關、電源管理以及DC-DC轉換器等場合。NTB4302G具有快速開關特性，有助于提高電路整體效率。在實際應用中，由于其緊湊的封裝尺寸和良好的電氣性能，非常適合用于便攜式設備和空間受限的應用場景。使用時應注意正確選擇柵極驅動電壓以確保MOSFET充分導通，并做好散熱設計以保證器件可靠工作。

NTB4302G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
74A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.3 毫歐 @ 37A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 24V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件

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