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IXFN150N10

更新時間:2025-06-18 02:48:31

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IXFN150N10外觀圖

IXFN150N10

IXYS FET

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN150N10 概述

IXFN150N10是英飛凌公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高電流承載能力的特點。其最大漏極電流可達150A，耐壓值為100V，適用于需要大功率開關的場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等工業(yè)領域。在這些應用中，它能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。使用時需注意散熱設計，建議采用適當?shù)纳崞骰蚶鋮s方案以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。電路設計上，應根據(jù)具體需求合理選擇柵極電阻值，避免因開關速度過快導致的振蕩現(xiàn)象。同時，在布局PCB時應盡量縮短源極引線長度，減少寄生電感對性能的影響。

IXFN150N10 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
20
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
150A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
360nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9000pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
散裝

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