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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>ntd3055l170t4g 更新時間:2026-03-07 22:56:29

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ntd3055l170t4g中文資料

  • NTD3055L170T4G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:ntd3055l170t4g源漏極間雪崩電壓vbr(v):60源漏極最大導通電阻rds(on)(mω):170最大漏極電流id(on)(a):9通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:9.0 a, 60 v功率mosfet價格/1片(套):¥2.60 來源:xiangxueqin

  • NTD3055L170T4G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTD3055L170T4G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
    源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):170
    最大漏極電流Id(on)(A):9
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET
    價格/1片(套):¥2.60

ntd3055l170t4g替代型號

NTD3055L170 NTD3055L104T4G NTD3055L104G NTD3055L104-1G NTD3055L104 NTD3055L NTD3055-150T4G NTD3055-150-1G NTD3055-150 NTD3055-094T4G

NTD30N02 NTD32N06G NTD32N06L NTD32N06LT4G NTD32N06T4G NTD40N03R NTD40N03R-1G NTD40N03RT4G NTD4302 NTD4302T4G

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