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DPAK/25+
原裝有現(xiàn)貨實單可談
NTD3055L104G
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1比1質量完美通用/包上機可供更多
NTD3055L170
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TO252/1202+
全新原裝現(xiàn)貨
NTD3055L104T4G
50000
TO252/23+
官網(wǎng)可查icscjh.com
NTD3055L104T4G
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TO252/1403+
一定原裝房間現(xiàn)貨
NTD3055L104T4G NTD3055L104G
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TO2522/2025+
國產南科兼容替代
NTD3055L104T4G
19125
DPAK/25+
原裝有現(xiàn)貨實單可談
NTD3055L170T4G
960
TO252/13+
原裝現(xiàn)貨/不原砍我
NTD3055L170T4G
66880
22/23+/TO252
-
NTD3055L104T4G
45320
TO2522(DPAK)/23+
十年配單,只做原裝 不止銷售 也可回收
NTD3055L104T4G
16500
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全新、原裝
NTD3055L
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SOT223/25+
原裝認證有意請來電或QQ洽談
NTD3055L
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TSSOP/23+
高品質 優(yōu)選好芯
NTD3055L
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TO223/23+
原廠代理 終端免費提供樣品
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原裝現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨,長期供應
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TO223/2022+
官網(wǎng)可查icscjh.com
NTD3055L
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SOT223/23+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055L
2060
SOT223/1103+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055L104
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD3055L104
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD3055L170
Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts, Log...
ON SEMICONDUCTOR
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NTD3055L104G
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD3055L104G
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTD3055L104GPDF下載
NTD3055L104-D
Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts, Logi...
ON Semiconductor
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NTD3055L104T4
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD3055L104T4
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD3055L170-D
Power MOSFET 9.0 Amps, 60 Volts, Log...
ON Semiconductor
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NTD3055L104-1G
Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
ON Semiconductor
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來。 在關閉期間,消隱定時器啟動,同時存儲的門電荷由mosfet通過rg缷除到地。在此期間,cmp感測mosfet的vds,并將其與不同的vref比較。如果在關閉消隱時間的末尾時mosfet的vds小于vref,就檢測出可能的對地短路。在這種情況下,負載電流可以繼續(xù)流動,但對地短路診斷狀態(tài)獲記錄下來。 mosfet基礎知識 mosfet已經應用多年,有關它們特性的文檔也很齊全。但檢視它的一些基礎屬性及數(shù)據(jù)表信息,可以在關鍵性能參數(shù)方面提供一些指引。我們將使用安森美半導體ntd3055l邏輯電平mosfet數(shù)據(jù)表作為示例。 mosfet數(shù)據(jù)表中常見的一個典型曲線是傳遞(transfer)特性曲線,如圖2所示。這個曲線描繪了掃描vgs電壓時飽和區(qū)域中的漏電流,在這個飽和區(qū)域中,vds保持在大于10v的某個恒定電壓。這曲線通常在3種溫度條件下捕獲,圖2中所示的3種溫度分別是綠色線條代表的-55°c、黑色線條代表的25°c和紅色線條代表的100°c。 大多數(shù)mosfet顯示出零溫度系數(shù)(tc)點特性;就ntd3055l而言,這個點出現(xiàn)于vgs ≈ 3.6v。對于給
產品型號:NTD3055L170T4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏極電流Id(on)(A):9
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.60
產品型號:NTD3055L170
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):170
最大漏極電流Id(on)(A):9
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
描述:9A,60V邏輯電平的功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.60
...
產品型號:NTD3055L104T4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:12 A, 60 V功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.60
產品型號:NTD3055L104G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.70
&nb...
產品型號:NTD3055L104-1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:60V,12A,N溝道MOSFET
價格/1片(套):暫無
&nb...
NTD3055L104 NTD3055L104-1G NTD3055L104G NTD3055L104T4G NTD3055L170 NTD3055L170T4G NTD30N02 NTD32N06G NTD32N06L NTD32N06LT4G
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