NTD3055-150T4G
16500
TO252/23+
原裝,穩(wěn)定供貨,一站式配齊
NTD3055-150T4G
334420
TO2522/2025+
國產(chǎn)南科兼容替代
NTD3055-150T4
45
TO252/0427+
原裝現(xiàn)貨 力挺實(shí)單
NTD3055-150T4G
6520
DPAK/20+
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)惠清貨
NTD3055-150
12260
TSSOP/23+
高品質(zhì) 優(yōu)選好芯
NTD3055-150
8500
DPAK4LEADSINGLEG/2025+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055-150
7764
/23+
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
NTD3055-150
6000
TO252/23+
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
NTD3055-150
8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055-150
225080
DPAK/2016+
原裝現(xiàn)貨長期供應(yīng)
NTD3055-150
21403
-/23+
原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng)
NTD3055-150
26500
DPAK3/25+23+
汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒
NTD3055-150
22500
DPAK4/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
NTD3055-150
30000
TO252/2022+
官網(wǎng)可查icscjh.com
NTD3055-150
9400
TSSOP/23+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055-150
3000
DPAK/N/A
原裝正品熱賣,價(jià)格優(yōu)勢
NTD3055-150
168000
DPAK4LEADSINGLEG/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實(shí)單價(jià)格支持/優(yōu)勢渠道
NTD3055-150
4500
DPAK4LEADSINGLEG/23+
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
NTD3055-150
52701
TO252/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
NTD3055-150
4655
-/-
公司現(xiàn)貨,進(jìn)口原裝熱賣
NTD3055-150
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI
NTD3055-150PDF下載
NTD3055-150
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTD3055-150PDF下載
NTD3055-150G
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI
NTD3055-150GPDF下載
NTD3055-150G
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
NTD3055-150GPDF下載
NTD3055-150-1
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI
NTD3055-150-1PDF下載
NTD3055-150-1
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
NTD3055-150-1PDF下載
NTD3055-150-D
Power MOSFET 60 V, 9.0 A, N-Channel ...
ON Semiconductor
NTD3055-150-DPDF下載
NTD3055-150T4
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI
NTD3055-150T4PDF下載
NTD3055-150T4
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
NTD3055-150T4PDF下載
NTD3055-150-1G
Power MOSFET 9.0 A, 60 V
ONSEMI
NTD3055-150-1GPDF下載
產(chǎn)品型號:ntd3055-150源漏極間雪崩電壓vbr(v):60源漏極最大導(dǎo)通電阻rds(on)(mω):122最大漏極電流id(on)(a):9通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):dpak/-55~175描述:9a,60v功率mosfet價(jià)格/1片(套):¥2.35 來源:xiangxueqin
產(chǎn)品型號:NTD3055-150T4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):150
最大漏極電流Id(on)(A):9
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):¥2.35
產(chǎn)品型號:NTD3055-150-1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):150
最大漏極電流Id(on)(A):9
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):¥2.35
產(chǎn)品型號:NTD3055-150
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):122
最大漏極電流Id(on)(A):9
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
描述:9A,60V功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):¥2.35
...
NTD3055-150-1G NTD3055-150T4G NTD3055L NTD3055L104 NTD3055L104-1G NTD3055L104G NTD3055L104T4G NTD3055L170 NTD3055L170T4G NTD30N02
相關(guān)搜索: