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NTD6415ANLT4G

更新時間:2025-07-04 20:49:12

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NTD6415ANLT4G外觀圖

NTD6415ANLT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD6415ANLT4G 概述

NTD6415ANLT4G是一款由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的TSOP-6封裝，適用于高密度表面貼裝應(yīng)用。其最大漏源電壓VDS為30V，在室溫下連續(xù)漏極電流ID可達到22A，使其適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電源管理電路等應(yīng)用中。在筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中，NTD6415ANLT4G能夠有效提高能效，降低功耗。由于其低導通電阻RDS(on)，可以減少導通損耗，從而提升整體系統(tǒng)效率。此外，這款MOSFET還具備快速開關(guān)特性，有助于實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計方案。使用時需注意遵循正確的柵極驅(qū)動電壓范圍以確保可靠工作，并且在設(shè)計PCB布局時應(yīng)盡量減小寄生電感以避免產(chǎn)生不必要的振蕩。

NTD6415ANLT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
23A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
52 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1024pF @ 25V
功率 - 最大
83W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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NTD6415ANLT4G
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NTD60N02RG
NTD60N02RT4
NSR0320MW2T1G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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