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NTD6416ANLT4G

更新時間:2025-05-24 20:52:19

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NTD6416ANLT4G外觀圖

NTD6416ANLT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD6416ANLT4G 概述

NTD6416ANLT4G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，適合空間受限的應(yīng)用場景。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻特性，在低壓應(yīng)用中能有效降低功率損耗。其柵極電荷較低，有助于提高開關(guān)速度，適用于高速開關(guān)電路。典型應(yīng)用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電池保護電路等便攜式設(shè)備領(lǐng)域。在實際使用時，需注意最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流應(yīng)控制在正向4.4A以內(nèi)（環(huán)境溫度25°C）。由于其小尺寸封裝，在焊接過程中要嚴(yán)格控制溫度和時間以避免損壞器件。若用于高頻開關(guān)電源設(shè)計，建議配合合適的驅(qū)動電路以充分發(fā)揮其高速開關(guān)性能。

NTD6416ANLT4G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
74 毫歐 @ 19A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
71W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD6416ANLT4G-NDNTD6416ANLT4GOSTR

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NTD6416ANLT4G
NTD6.8M50B
NTD60N02
NTD60N02R
NTD60N02R-1G
NTD60N02RG
NTD60N02RT4
NUP4201MR6T1G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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