久久久久久亚洲国产无码Av,超碰短片国产高清AV网

安森美用于VR11電源管理的雙緣控制器
m控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺(tái)。" 完整的解決方案除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無(wú)鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無(wú)鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無(wú)鉛qfn封裝?，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至michael.stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與mike stapleton聯(lián)系。 ncp5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的ddr控制器、通用控制器、m
安森美半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)用于VR11電源管理的雙緣控制器
制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺(tái)。” 完整的解決方案除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無(wú)鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無(wú)鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無(wú)鉛qfn封裝。 ncp5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立產(chǎn)品的產(chǎn)品系列。來(lái)源:小草

NTD65N03RT4G的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NTD65N03RT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):25
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):8.400
最大漏極電流Id(on)(A):65
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,65A,N溝道MOSFET
價(jià)格/1片(套):暫無(wú)

&nb...
NTD65N03RG的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NTD65N03RG
源漏極間雪崩電壓VBR(V):25
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):8.400
最大漏極電流Id(on)(A):65
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,65A,N溝道MOSFET
價(jià)格/1片(套):暫無(wú)

...
NTD65N03R-1G的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NTD65N03R-1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):25
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):8.400
最大漏極電流Id(on)(A):65
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:25V,65A,N溝道MOSFET
價(jià)格/1片(套):暫無(wú)

&nb...

安森美用于VR11電源管理的雙緣控制器
功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺(tái)。" 完整的解決方案除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無(wú)鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無(wú)鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。供貨日期 ncp5381mnr2g采用40引腳無(wú)鉛qfn封裝?，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至michael.stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與mike stapleton聯(lián)系。 ncp5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的ddr控

維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)-十六年專注打造電子元器件采購(gòu)網(wǎng)

ntd65n03r供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

ntd65n03rPDF下載地址

ntd65n03r價(jià)格行情

ntd65n03r中文資料

安森美用于VR11電源管理的雙緣控制器

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)用于VR11電源管理的雙緣控制器

NTD65N03RT4G的技術(shù)參數(shù)

NTD65N03RG的技術(shù)參數(shù)

NTD65N03R-1G的技術(shù)參數(shù)

安森美用于VR11電源管理的雙緣控制器

ntd65n03r替代型號(hào)

ntd65n03r供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

ntd65n03rPDF下載地址

ntd65n03r價(jià)格行情

ntd65n03r中文資料

ntd65n03r替代型號(hào)

我要上傳PDF

建議反饋