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NTD60N02RT4G

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NTD60N02RT4G 概述

NTD60N02RT4G是由安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)以及電機驅(qū)動電路等。在電源管理系統(tǒng)中，它能夠高效地控制電能傳輸，減少能量損耗。對于電機驅(qū)動應用，這款MOSFET可以提供穩(wěn)定的電流輸出，確保電機平穩(wěn)運行。使用時應注意散熱設(shè)計，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)具體的應用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電壓，并確保電路布局合理以優(yōu)化EMI性能。

NTD60N02RT4G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
25 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
62 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.0084 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Reel
下降時間
33 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
27 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.87 W
上升時間
33 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時間
19 ns

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