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IXFN32N80P

更新時間:2025-05-27 22:28:50

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IXFN32N80P外觀圖

IXFN32N80P

IXYS FET

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN32N80P 概述

IXFN32N80P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用IXYS先進的功率半導體技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)控制等應用場合。其優(yōu)化的柵極電荷特性有助于降低驅動損耗，提高系統整體效率。在電路設計中，推薦使用適當的散熱措施以確保器件長期穩(wěn)定運行，如加裝散熱器或采用強制風冷方式。由于其較高的耐壓能力（800V），在實際應用時需特別注意防止過壓損壞，并合理設置保護電路參數。

IXFN32N80P 規(guī)格參數

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
29A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8820nF @ 25V
功率 - 最大
625W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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