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IRF830APBF

更新時間:2025-06-19 22:32:30

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IRF830APBF 概述

IRF830APBF是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于中等功率的應用場景。其最大漏極電流可達5A，最大漏源電壓為500V，具有低導通電阻和快速開關特性。在實際應用中，IRF830APBF常用于電源管理、電機驅(qū)動、逆變器電路以及各類開關模式電源(SMPS)設計中。由于其較高的擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性，它也適用于工業(yè)控制和自動化設備中的高壓側開關應用。使用時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，通常需要10V以上的柵極電壓來確保MOSFET完全開啟，降低導通損耗。同時，在高頻應用場合下需特別關注柵極電容的影響，適當增加柵極電阻以抑制振蕩現(xiàn)象。建議在實際電路設計時參考官方數(shù)據(jù)手冊進行詳細參數(shù)確認，并根據(jù)具體需求優(yōu)化外圍電路配置。

IRF830APBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 歐姆 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
620pF @ 25V
功率 - 最大
74W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF830APBF

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