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IRF830PBF

更新時間:2025-06-13 15:06:34

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IRF830PBF 概述

IRF830PBF是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon Technologies收購）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有較高的耐壓能力，最大漏源電壓Vds可達500V，適合在高電壓應用中使用。其連續(xù)漏極電流Id為1.9A，在脈沖條件下可達到7A。該元件常用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器等需要高效電能轉換的場合。在具體應用時，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET充分導通，一般推薦使用10到15V的驅(qū)動電壓。設計電路時應考慮散熱問題，可通過加裝散熱片來提高器件的工作穩(wěn)定性。在驅(qū)動感性負載如電機時，還需并聯(lián)適當?shù)睦m(xù)流二極管以保護MOSFET不受反向電動勢沖擊。

IRF830PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 2.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
610pF @ 25V
功率 - 最大
74W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF830PBF

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IP4220CZ6

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