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IRF830S

更新時間:2025-07-03 09:59:03

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市華美銳科技有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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D2PAK/2020+
原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

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IRF830S 概述

IRF830S是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件適用于多種電源管理應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓Vds為500V，適合于高壓應用場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電動機驅動控制等需要高效能量轉換的設備中。在電路設計時應注意其柵極驅動電壓范圍，以確保正常工作并避免損壞。例如，在驅動電路中應提供合適的柵極電阻來限制瞬態(tài)電流，防止因過沖導致的器件失效。同時，良好的PCB布局對于減少寄生電感和提高整體系統(tǒng)性能至關重要。

IRF830S 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRF830S
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 2.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
610pF @ 25V
功率 - 最大
74W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF830S

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