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FDP22N50N

更新時間:2025-06-20 09:33:29

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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FDP22N50N外觀圖

FDP22N50N

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP22N50N 概述

FDP22N50N是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓應(yīng)用場合，最大漏源電壓Vds可達500V，連續(xù)漏極電流Id為22A，具備低導通電阻Rds(on)，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOSFET廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動器以及照明控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，推薦使用適當?shù)纳岽胧┮源_保器件穩(wěn)定運行。設(shè)計電路時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，保證足夠的驅(qū)動電壓和電流能力來快速、可靠地開啟和關(guān)閉MOSFET。此外，在進行PCB布局時，應(yīng)盡量減小源極和柵極的寄生電感，以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

FDP22N50N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
22A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3200pF @ 25V
功率 - 最大
312.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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FDP2070
FDP20AN06AO
FDP20N06
FDP20N40
FDP20N50
FDP20N50F
FQPF10N60C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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