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FDP3652

更新時間:2025-06-19 13:34:53

供應商
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深圳市誠研翔科技有限公司
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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務

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深圳市安富世紀電子有限公司
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105000
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FDP3652外觀圖

FDP3652

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

封裝:TO-220-3

FDP3652 概述

FDP3652是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，典型Rds(on)值為40mΩ（Vgs=10V時）。它專為高效功率轉換應用設計，在需要快速開關和低損耗的電路中表現(xiàn)出色。常見應用場景包括直流-直流轉換器、電源管理模塊以及電機驅動電路。在電池供電設備中，其高效的能量轉換能力有助于延長設備工作時間。使用時應注意柵極驅動電壓的選擇，以確保MOSFET充分導通。在PCB布局上，建議源極和漏極走線盡量短而寬，以降低寄生電感影響，提高開關性能。對于高頻應用，還需要考慮適當?shù)臇艠O電阻來控制開關速度，減少EMI干擾。

FDP3652 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
400
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
61A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫歐 @ 61A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
53nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2880pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
散裝

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