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FDP19N40

更新時間:2025-06-20 01:35:21

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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FDP19N40外觀圖

FDP19N40

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 400V 19A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP19N40 概述

FDP19N40是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。典型應用場景包括直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電機驅(qū)動器和其他需要高效功率轉換的設備。其最大漏極電流可達19A，耐壓值為400V，能滿足大多數(shù)工業(yè)級電源管理需求。在電路設計中，建議在柵極串聯(lián)一個適當阻值的電阻以控制開關速度，減少EMI干擾。同時，需注意散熱設計，確保工作溫度不超過器件的最大額定值。對于高壓應用，要特別關注PCB布局，盡量縮短高電壓走線距離，避免不必要的電感耦合。

FDP19N40 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 9.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2115pF @ 25V
功率 - 最大
215W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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