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FDD8780

更新時間:2025-06-19 06:02:56

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FDD8780外觀圖

FDD8780

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD8780 概述

FDD8780是由On Semiconductor生產的N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓為30V，適用于需要高效功率轉換的場合。典型應用場景包括電源管理、負載開關以及DC-DC轉換器等便攜式電子設備中。在電池供電系統(tǒng)中，FDD8780能夠有效降低功耗，延長電池使用時間。其優(yōu)秀的熱性能使得它可以在緊湊空間內可靠工作。在實際應用中，建議選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保PCB布局合理，特別是源極和漏極走線要盡量短而寬，以減少寄生電感影響。對于電源路徑切換應用，需注意輸入輸出電容的選擇，以保證穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應。

FDD8780 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫歐 @ 35A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1440pF @ 13V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD8780TR

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FDD8444L
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