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FDD8782

更新時間:2025-07-04 02:13:39

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FDD8782外觀圖

FDD8782

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD8782 概述

FDD8782是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于高效功率轉換應用。該MOSFET的最大漏極-源極電壓為30V，在10V柵極驅動下的典型導通電阻僅為4.5mΩ，這有助于減少傳導損耗并提高整體效率。此器件常用于電源管理電路中，如DC-DC轉換器、負載開關和電池保護電路等。在便攜式設備、消費電子產品以及工業(yè)控制等領域有著廣泛應用。使用時應注意確保柵極驅動電壓足夠以達到最低導通電阻，并且要考慮適當?shù)纳嵩O計以維持長期可靠運行。在電路布局上應盡量縮短源極與地之間的走線長度，以減少寄生電感的影響。

FDD8782 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 35A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1220pF @ 13V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD8782TR

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FDD8444L
FM62429

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