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FDN335N

更新時間:2025-06-05 08:10:41

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
FDN335N
BOM配單
誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務
上傳BOM

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深圳聞舟科技有限公司
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深圳市創(chuàng)科洋電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨庫存，價格優(yōu)勢

深圳智睿捷科技有限公司
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深圳智睿捷科技有限公司
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深圳市梓鑫盛科技發(fā)展有限公司
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深圳聞舟科技有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨，支持實單

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深圳市芯宇華航科技有限公司
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軍用單位指定合供方/只做原裝,自家現(xiàn)貨

深圳市奧利騰科技有限公司
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20000
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TO252(DPAK)/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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提供BOM一站式配單服務

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深圳市龍崗區(qū)源運電子店
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北京懿芯雅創(chuàng)電子科技有限公司
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深圳市阿爾派電子科技有限公司
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深圳市賽美科科技有限公司
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深圳市正納電子有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

深圳市億創(chuàng)微芯電子有限公司
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深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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公司現(xiàn)貨原裝

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FDN335N外觀圖

FDN335N

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDN335N 概述

FDN335N是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓為20V，最大連續(xù)漏極電流為2.1A，在柵極驅動電壓為4.5V時的典型導通電阻僅為45mΩ。此款MOSFET適用于低壓、高密度負載點電源轉換應用如DC-DC轉換器以及負載開關等場合。由于其小尺寸SOT-23封裝形式，特別適合對空間要求苛刻的手持式設備如手機、平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品中使用。在實際應用時需注意保證柵極驅動電壓足夠以確保MOSFET處于良好導通狀態(tài)，并且合理設計PCB布局減小寄生電感影響開關性能。

FDN335N 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 1.7A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
3-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDN335NTR

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電話：0755-83987779
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