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FDC6303N

更新時間:2025-05-29 13:30:59

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FDC6303N外觀圖

FDC6303N

Fairchild Semiconductor FET - 陣列

IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6

封裝:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

FDC6303N 概述

FDC6303N是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款雙N溝道MOSFET，采用DPAK封裝。該器件設(shè)計用于低電壓、高頻率的開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，這使得它在電池供電設(shè)備中表現(xiàn)出色。典型應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、電源管理以及便攜式設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。在實際應(yīng)用中，F(xiàn)DC6303N可以作為理想的選擇來實現(xiàn)高效能的功率控制。例如，在手持設(shè)備的電源管理電路中，它可以用來切換不同的電源路徑，從而延長電池壽命。使用時需注意其最大漏極電流限制為4.5A，并且在高頻操作時應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┮员苊膺^熱損壞。對于初學(xué)者而言，建議參考ON Semiconductor提供的官方數(shù)據(jù)手冊進行電路設(shè)計，確保正確配置柵極驅(qū)動電阻和散熱方案。

FDC6303N 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
680mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 500mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC6303NTR

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FDC6000NZ
FDC6000NZ_F077
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FDC602
FDC6020C
F4558

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