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飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道powertrench mosfet產(chǎn)品fdd4141,為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案,可將開關(guān)損耗減少達一半。fdd4141具有低導(dǎo)通阻抗(rds(on)),與目前的mosfet比較能降低柵極電荷(qg)達50%,可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應(yīng)用,以更高的速度進行切換,而不會產(chǎn)生過多的熱量??焖匍_關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百khz應(yīng)用的必備條件。盡管其它mosfet解決方案亦可在較高頻率下進行切換,但這些解決方案的柵極電荷較高,造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的powertrench工藝技術(shù)制造,可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench技術(shù)將n溝道m(xù)osfet的特性運用在p溝道m(xù)osfet中,使到p溝道m(xù)osfet具備n溝道m(xù)osfet的性能,并表現(xiàn)出更低的rds (on)和更低的柵極電荷,繼而更高的效率,同時還能夠在數(shù)百khz的高頻下切換,以達致步降轉(zhuǎn)換器的開關(guān)要求。 fdd4141是飛兆
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產(chǎn)品 fdd4141,為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案,可將開關(guān)損耗減少達一半。fdd4141 具有低導(dǎo)通阻抗 (rds(on)),與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%,可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應(yīng)用,以更高的速度進行切換,而不會產(chǎn)生過多的熱量??焖匍_關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百 khz 應(yīng)用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換,惟這些解決方案的柵極電荷較高,造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的 powertrench 工藝技術(shù)制造,可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術(shù)將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中,使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能,并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷,繼而更高的效率,同時還能夠在數(shù)百 k
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道 powertrench mosfet 產(chǎn)品 fdd4141,為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案,可將開關(guān)損耗減少達一半。fdd4141 具有低導(dǎo)通阻抗 (rds(on)),與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%,可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應(yīng)用,以更高的速度進行切換,而不會產(chǎn)生過多的熱量??焖匍_關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百 khz 應(yīng)用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換,但這些解決方案的柵極電荷較高,造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的 powertrench 工藝技術(shù)制造,可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術(shù)將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道m(xù)osfet 中,使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能,并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷,繼而更高的效率,同時還能夠在數(shù)百 khz 的高
飛兆半導(dǎo)體公司推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產(chǎn)品 fdd4141,為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案,可將開關(guān)損耗減少達一半。fdd4141 具有低導(dǎo)通阻抗 (rds(on)),與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%,可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應(yīng)用,以更高的速度進行切換,而不會產(chǎn)生過多的熱量??焖匍_關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百 khz 應(yīng)用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換,惟這些解決方案的柵極電荷較高,造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導(dǎo)體專有的 powertrench 工藝技術(shù)制造,可將負(fù)載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術(shù)將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中,使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能,并表現(xiàn)出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷,繼而更高的效率,同時還能夠在數(shù)百 khz 的高頻下切換,以達致步降轉(zhuǎn)換器的開關(guān)要求。
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