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FDC6310P

更新時間:2025-06-14 14:43:41

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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FDC6310P外觀圖

FDC6310P

Fairchild Semiconductor FET - 陣列

MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6

封裝:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

FDC6310P 概述

FDC6310P是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的單通道N溝道MOSFET。該器件采用PicoSlate封裝，具有極小的尺寸，適用于對空間要求嚴(yán)格的電路設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為20V，連續(xù)漏極電流(ID)在室溫下可達(dá)到4.2A。FDC6310P的柵極電荷較低，這有助于降低開關(guān)損耗，使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))特性，在電池供電設(shè)備中使用時可以減少能量損失，提高整體效率。典型應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電源管理以及便攜式電子設(shè)備中的信號切換。在實際應(yīng)用中，確保柵極驅(qū)動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并注意不要超過最大額定值以防損壞器件。對于需要快速響應(yīng)和高效能的設(shè)計，F(xiàn)DC6310P是一個理想的選擇。

FDC6310P 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
125 毫歐 @ 2.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
337pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC6310P-NDFDC6310PFSTR

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FDC6310P-NL
FDC6000NZ
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FDC6000NZ-NL
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FDC6020C
FDN340P

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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