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請教兩個(gè)問題啊 |
| 作者：qwertyIC 欄目：IC設(shè)計(jì) |
對以下兩個(gè)問題，賜教： 1：怎樣提高管子的互導(dǎo)gm; 2 : 在開關(guān)電源中，誤差放大器穩(wěn)定的條件是什么？即怎樣判斷一個(gè)誤差放大器是否穩(wěn)定？整個(gè)環(huán)路的穩(wěn)定性怎么判斷呢 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： qwertyIC 于 2006/9/26 15:57:00 發(fā)布：
還有一個(gè) Bipolar的速度為何比CMOS電路的快��？ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： niezimei 于 2006/9/27 17:40:00 發(fā)布：
回答 1.增大電流或者增大w/l 2.單看誤差放大器不存在穩(wěn)不穩(wěn)定的問題，穩(wěn)定是對整個(gè)負(fù)反饋的環(huán)路來講的。當(dāng)負(fù)反饋?zhàn)兂烧答仌r(shí)環(huán)路就不穩(wěn)定了。 3。相比Bipolar而言mos有很大的寄生電容，給這些電容充放電影響速度。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： BSIM4 于 2006/10/2 16:43:00 發(fā)布：
同意niezimei。補(bǔ)充3 管子速度大致是gm/C.除電容外Bipolar的gm理論上講一定比mos大。 （當(dāng)然，也有人試圖發(fā)明過gm超過此極值的mos管。但這些器件都不是用現(xiàn)有mos的溝道傳導(dǎo)機(jī)理,而是mos制程。這類器件也從未接近實(shí)用。) |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： tiannaya 于 2006/10/2 19:29:00 發(fā)布：
` 樓上 兩位都不錯 |
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