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關(guān)于MCU性能一個(gè)問題（應(yīng)當(dāng)與芯片設(shè)計(jì)有點(diǎn)關(guān)系） |
| 作者：yewuyi 欄目：集成電路 |
使用MCU的設(shè)計(jì)人員，在EMC實(shí)驗(yàn)中往往都會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象：當(dāng)MCU在強(qiáng)烈干擾下發(fā)生可控硅效應(yīng)后，芯片往往會(huì)急劇發(fā)熱，但如果在芯片燒毀前能“及時(shí)”把芯片斷電，那么這顆MCU在重新上電后，往往都還能保證其基本功能實(shí)現(xiàn)，MCU中的程序也能正常執(zhí)行，但其EMC指標(biāo)卻已經(jīng)大大降低，問題就此而來，由MCU廠家資料顯示，現(xiàn)在的MCU都是采用的全靜態(tài)CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)，CMOS的特性應(yīng)當(dāng)不存在這種“損壞的中間狀態(tài)”，說白了就是，CMOS結(jié)構(gòu)要么就是壞了，就是就是好的，沒有中間的可能，造成這種現(xiàn)象的原因一直百思不得其解，針對這種現(xiàn)象，我曾作一種大膽猜測（因?yàn)槲覍π酒O(shè)計(jì)技術(shù)一竅不通，所以只能是猜測），即在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，因?yàn)镮O口往往都需要能通過較大的電流的能力，所以在IO口的具體結(jié)構(gòu)上，可能采用了許多“并聯(lián)結(jié)構(gòu)”以達(dá)到驅(qū)動(dòng)大電流的能力，在第一次EMC測試時(shí)，芯片部分IO結(jié)構(gòu)其實(shí)已經(jīng)受到損害，但因?yàn)檫@種并聯(lián)結(jié)構(gòu)，部分的損害并不足以令MCU無法實(shí)現(xiàn)功能，這樣“這些部分”的損壞造成EMC測試指標(biāo)的下降也將較容易理解。 但前些時(shí)間請教了一些技術(shù)人員，無人能證實(shí)我這樣的想法的對與錯(cuò)，也一直沒能找到一個(gè)較為權(quán)威的解釋，在這個(gè)BBS里面拿上來討論，看看大家有沒有另外的理解，希望能得到一個(gè)正確的解釋。 * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-11-5 14:26:24 修改者：yewuyi |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： 阿基里奧斯 于 2005/11/5 15:52:00 發(fā)布：
re:我的看法 I/O結(jié)構(gòu)不是并聯(lián)的。 我想應(yīng)該是Latch ups時(shí)的大電流對I/O的阱或者襯底材料造成了損壞。在正常工作條件下，CMOS器件仍然是可以工作的，但承受大電流的能力變壞了。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 淵清 于 2005/12/21 13:41:00 發(fā)布：
回re:我的看法 同意，I/O結(jié)構(gòu)不是并聯(lián)的。 |
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