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mos管做電容的電流問題 |
| 作者：icscholar 欄目：IC設(shè)計 |
用pmos做電容，多晶硅的面積求出來了（L×W），W和L的大小怎樣定？要不要考慮電流的大�。课沂怯脕砩想姀�(fù)位的 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/5/28 13:46:00 發(fā)布：
上電復(fù)位對電容精度要求不高，差不多就行了。 我覺得W和L別做得太�。p小ΔW和ΔL的影響），L也別做得太大（減小溝道電阻的影響）就可以了。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： icscholar 于 2005/5/31 13:46:00 發(fā)布：
謝謝 謝謝 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： boris 于 2005/6/1 0:24:00 發(fā)布：
to asunmad：溝道電阻有什么影響？ 作為電容的MOS管的溝道兩端連在一起，溝道電阻較大（即L較大）會有什么影響？ |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/6/1 7:30:00 發(fā)布：
我想會影響時間常數(shù)吧。 電容用到電路中，常常是要反復(fù)充放電的，溝道電阻太大使充放電常數(shù)增加，使充放電不徹底，或者使電路性能參數(shù)偏離原設(shè)計指標(biāo)。 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： serdes 于 2005/6/1 11:20:00 發(fā)布：
to asunmad to asunmad： 溝道電阻根本就不在充放電回路上，為什么會影響時間常數(shù)呢？ |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2005/6/1 20:52:00 發(fā)布：
只是上電用的 只是上電用的，充放電時間應(yīng)該沒有太大關(guān)系吧 不過還是不能理解為什么電容會與溝道電阻有關(guān)，應(yīng)該和介質(zhì)界電常數(shù)相關(guān)吧 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/6/1 21:44:00 發(fā)布：
溝道電阻與電容應(yīng)該是個串聯(lián)的關(guān)系吧 這個溝道電阻與作為普通MOS管的RDS有所不同，但跟MOS電容應(yīng)該是串聯(lián)關(guān)系吧，所以我認為還是會影響充放電時間常數(shù)。 電容當(dāng)然不會跟溝道電阻有關(guān)。如果是作上電用，充放電時間常數(shù)也沒有太大關(guān)系，足夠長就行了。 |
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