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PBSS301ND Datasheet

  • PBSS301ND

  • 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 120.29KB

  • 16頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
PBSS301ND
20 V, 4 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
8. Test information
I
B
90 %
input pulse
(idealized waveform)
I
Bon
(100 %)
10 %
I
Boff
I
C
90 %
output pulse
(idealized waveform)
I
C
(100 %)
10 %
t
t
d
t
on
t
r
t
s
t
off
t
f
006aaa003
Fig 13. BISS transistor switching time de鏗乶ition
V
BB
V
CC
R
B
oscilloscope
V
I
R1
(probe)
450
鈩?/div>
R2
R
C
V
o
(probe)
450
鈩?/div>
DUT
oscilloscope
mlb826
V
CC
= 12.5 V; I
C
= 3 A; I
Bon
= 0.15 A; I
Boff
=
鈭?.15
A
Fig 14. Test circuit for switching times
9397 750 14958
漏 Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 鈥?25 April 2005
11 of 16

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