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PVT412L

更新時間:2025-07-04 23:57:53

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PVT412L外觀圖

PVT412L

International Rectifier 固態(tài)

IC RELAY PHOTOVO 400V 120MA 6DIP

封裝:6-DIP（0.300"，7.62mm）

PVT412L 概述

PVT412L是Microchip Technology生產的一款低壓N溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏源電壓為30V，可承受高達2.8A的連續(xù)漏極電流，在5V柵極驅動下的典型導通電阻僅為65mΩ。由于其緊湊的封裝形式和良好的電氣性能，PVT412L廣泛應用于便攜式設備、電源管理和負載切換電路中。在電池供電系統(tǒng)中，它能夠有效降低功耗并提高效率。設計時應注意確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低導通電阻，從而優(yōu)化整個電路的性能。

PVT412L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
繼電器
家庭
固態(tài)
系列
PVT, HEXFET®
電路
SPST-NO（1 Form A）
輸出類型
AC，DC
導通狀態(tài)電阻
35 歐姆
負載電流
120mA
輸入電壓
1.2VDC
電壓 - 負載
0 ~ 400 V
安裝類型
通孔
端接類型
PC 引腳
封裝/外殼
6-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
6-DIP
包裝
管件
繼電器類型
繼電器
其它名稱
*PVT412L

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