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SUP40N10-30 Datasheet

  • SUP40N10-30

  • N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

  • 5頁

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SUP40N10-30
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
100
r
DS(on)
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
0.034 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
40
37.5
FEATURES
D
TrenchFETr Power MOSFETS
D
175_C Junction Temperature
APPLICATIONS
D
Automotive
- Motor Drives
- 12-V Switches
TO-220AB
D
G
G D S
Top View
Ordering Information: SUP40N10-30
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
100
"20
40
23
75
35
61
107
b
3.75
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount
c
Junction-to-Ambient
J
ti t A bi t
Junction-to-Case (Drain)
Notes
a. Duty cycle
v
1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 72135
S-31730鈥擱ev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
Free Air
R
thJA
R
thJC
Symbol
Limit
40
62.5
1.4
Unit
_C/W
C/W
1

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