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SI4430BDY-T1-E3

更新時間:2025-07-04 04:08:38

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產(chǎn)品型號
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市金銳力科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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SI4430BDY-T1-E3 概述

SI4430BDY-T1-E3是由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性。此款MOSFET專為高頻開關應用而設計，在無線通信設備中表現(xiàn)良好，如射頻功率放大器、天線開關等場景。其低柵極電荷使得它在高速開關電路中能有效降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。在電源管理應用方面，可用于DC - DC轉換器中。使用時需注意最大電壓、電流額定值，確保不超過其安全工作范圍。在電路設計中，可與合適的驅動電路配合使用，以實現(xiàn)最佳性能。如果用于射頻電路，要關注其頻率響應特性是否滿足電路需求。

SI4430BDY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI4430BDY
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI4430BDY-T1-E3TR

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SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-GE3
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