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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

SQJ202EP-T1_GE3 Datasheet

IC型號：
SQJ202EP-T1_GE3
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
文件大?。?/label>
372.00KB
PDF頁數(shù)：
13頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

SQJ202EP-T1_GE3 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
15現(xiàn)貨
價格
1 : ￥11.61000剪切帶（CT）3,000 : ￥4.92112卷帶（TR）
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
12V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A，60A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6.5 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
22nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
975pF @ 6V
功率 - 最大值
27W，48W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8 雙
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK? SO-8 雙通道不對稱

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版本

描述

廠商

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SQJ200EP-T...

英文版

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

SQJ200EP-T1_GE3
SQJ202EP-T...

英文版

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

SQJ202EP-T1_GE3

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