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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

SQJ200EP-T1_GE3 Datasheet

IC型號(hào)：
SQJ200EP-T1_GE3
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
文件大小：
352.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
14頁(yè)

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SQJ200EP-T1_GE3 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
價(jià)格
1 : ￥9.62000剪切帶（CT）3,000 : ￥4.07268卷帶（TR）
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A，60A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
8.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
975pF @ 10V
功率 - 最大值
27W，48W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8 雙
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK? SO-8 雙通道不對(duì)稱

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
SQJ200EP-T...

英文版

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

SQJ200EP-T1_GE3
SQJ202EP-T...

英文版

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

SQJ202EP-T1_GE3

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