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SPU03N60C3 Datasheet

  • SPU03N60C3

  • Cool MOS™ Power Transistor

  • 12頁

  • INFINEON   INFINEON

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Final data
SPD03N60C3
SPU03N60C3
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
P-TO251
Cool MOS鈩?Power Transistor
Feature
鈥?/div>
New revolutionary high voltage technology
鈥?/div>
Ultra low gate charge
鈥?/div>
Periodic avalanche rated
鈥?/div>
Extreme dv/dt rated
鈥?/div>
High peak current capability
鈥?/div>
Improved transconductance
650
1.4
3.2
P-TO252
V
鈩?/div>
A
Type
SPD03N60C3
SPU03N60C3
Package
P-TO252
P-TO251
Ordering Code
Q67040-S4421
-
Marking
03N60C3
03N60C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 2.4 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
E
AR
I
D
= 3.2 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
I
AR
Gate source voltage static
V
GS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C = 25擄C
Operating and storage temperature
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
3.2
鹵20
鹵30
38
-55... +150
W
擄C
A
V
0.2
I
D puls
E
AS
Symbol
I
D
3.2
2
9.6
100
mJ
Value
Unit
A
Page 1
2003-10-02

SPU03N60C3 產(chǎn)品屬性

  • SPD,SPU03N60C3

  • CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 1,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • CoolMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 650V

  • 3.2A

  • 1.4 歐姆 @ 2A，10V

  • 3.9V @ 135µA

  • 17nC @ 10V

  • 400pF @ 25V

  • 38W

  • 通孔

  • TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

  • PG-TO251-3

  • 管件

  • SP000095849

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