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PHP52N06T Datasheet

  • PHP52N06T

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 12頁

  • PHILIPS

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PHP52N06T
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?9 January 2002
M3D307
Product data
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHP52N06T in SOT78 (TO-220AB).
2. Features
s
Low on-state resistance
s
175
擄C
rated.
3. Applications
s
DC to DC converters
s
Uninterruptible power supplies
s
Switched mode power supplies.
4. Pinning information
Table 1:
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, simpli鏗乪d outline and symbol
Simpli鏗乪d outline
mb
Pin Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Symbol
d
g
s
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

PHP52N06T 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 60 V

  • +/- 20 V

  • 52 A

  • 0.022 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 40 ns

  • - 55 C

  • 120 W

  • 74 ns

  • 50

  • 70 ns

  • PHP52N06T,127

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