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PBSS8110Y Datasheet

  • PBSS8110Y

  • 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 13頁

  • PHILIPS

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PBSS8110Y
100 V, 1 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?2 June 2004
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
NPN low V
CEsat
transistor in a SOT363 (SC-88) plastic package.
1.2 Features
s
s
s
s
SOT363 package
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High ef鏗乧iency reduces heat generation.
1.3 Applications
s
Major application segments:
x
Automotive 42 V power
x
Telecom infrastructure
x
Industrial.
s
Peripheral driver:
x
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
x
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
s
DC-to-DC converter.
1.4 Quick reference data
Table 1:
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
Conditions
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
Max
100
1
3
200
Unit
V
A
A
m鈩?/div>

PBSS8110Y 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 1.35mm

  • UMT

  • 1 x 2.2 x 1.35mm

  • 6

  • NPN

  • -65 °C

  • 625 mW

  • 5 V

  • 1.05 V

  • 1 A

  • 100 V

  • 0.2 V

  • 120 V

  • 80 V

  • +150 °C

  • 100 MHz

  • 1

  • 雙極小信號

  • 單四集電極

  • 2.2mm

  • 1mm

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