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PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

NEL2012F03-24

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

L BAND POWER AMPLIFIER

DESCRIPTION

The NEL2012F03-24 of NPN epitaxial microwave power transistors is designed for 1.8 GHz-2.0 GHz PCN/PCS/

PHS base station applications. It is corporate emitter ballast resistors, gold metalizations and offers a high degree of

reliability.

FEATURES

High Linear Power and Gain

Low Internal Modulation Distortion

High Reliability Gold Metalization

Emitter Ballasting

24 V Operation

APPLICATION

Digital Cellular : PCN/PCS etc.

Digital Cordless : PHS etc.

ORDERING INFORMATION

Part Number

NEL2012F03-24

Package Outline

F03

PACKAGE DIMENSIONS

(Unit: mm)

2.8 鹵 0.2

6.35 鹵 0.4

PIN CONNECTIONS

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

14.35 鹵 0.4

4.67 鹵 0.4

2

脳

蠁

3.3 鹵 0.3

1

2

3

2.17 鹵 0.3 0.1

+0.05

鈥?.02

18.9 鹵 0.3

14.2 鹵 0.3

6.35 鹵 0.4

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P11768EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1997 N

Printed in Japan

1.53 鹵 0.3

漏

1996

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• 型號
  版本
  描述
  廠商
  下載
• NEL2301
  英文版
  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  
  NEL2301
• NEL2301
  英文版
  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  NEC [NEC]
  NEL2301
• NEL2302
  英文版
  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  
  NEL2302
• NEL2302
  英文版
  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  NEC [NEC]
  NEL2302
• NEL2303
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  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  
  NEL2303
• NEL2303
  英文版
  CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR
  NEC [NEC]
  NEL2303
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  NEL230120
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  NEL230153
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