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NTHS5441T1G

更新時間:2025-06-23 17:00:07

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NTHS5441T1G外觀圖

NTHS5441T1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

封裝:8-SMD，扁平引線

NTHS5441T1G 概述

NTHS5441T1G是由安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電池供電設備等需要高效電源管理的應用場景。此款MOSFET在便攜式電子設備中表現(xiàn)出色，如智能手機和平板電腦的電源管理電路、負載開關(guān)以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應用場合。其典型導通電阻為40mΩ（Vgs=-4.5V時），可承受最高-60V的漏源電壓和-10.2A的連續(xù)漏極電流。在實際應用中，應確保柵極驅(qū)動電壓足夠使MOSFET完全導通或截止。當用于開關(guān)電路時，需考慮PCB布局以減少寄生電感影響，避免產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象。此外，在高頻率工作條件下，建議選擇合適的柵極電阻值來優(yōu)化開關(guān)性能并降低EMI干擾。

NTHS5441T1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫歐 @ 3.9A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
710pF @ 5V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTHS5441T1GOSNTHS5441T1GOS-NDNTHS5441T1GOSTR

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NTHS0603N04N3303JE
NTHS0603N11N3002JE
NJW0281G

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