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MRF175GV Datasheet

  • MRF175GV

  • N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

  • 11頁(yè)

  • MA-COM

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF175GU/D
The RF MOSFET Line
RF Power
Field-Effect Transistors
N鈥揅hannel Enhancement鈥揗ode
Designed for broadband commercial and military applications using push pull
circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband
performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM
broadcast or TV channel frequency bands.
鈥?/div>
Guaranteed Performance
MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (鈥淰鈥?Suffix)
Output Power 鈥?200 Watts
Power Gain 鈥?14 dB Typ
Efficiency 鈥?65% Typ
MRF175GU @ 28 V, 400 MHz (鈥淯鈥?Suffix)
Output Power 鈥?150 Watts
Power Gain 鈥?12 dB Typ
Efficiency 鈥?55% Typ
鈥?/div>
100% Ruggedness Tested At Rated Output Power
鈥?/div>
Low Thermal Resistance
鈥?/div>
Low C
rss
鈥?20 pF Typ @ V
DS
= 28 V
G
G
S
(FLANGE)
MRF175GU
MRF175GV
200/150 WATTS, 28 V, 500 MHz
N鈥揅HANNEL MOS
BROADBAND
RF POWER FETs
D
CASE 375鈥?4, STYLE 2
D
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain鈥揝ource Voltage
Drain鈥揋ate Voltage
(R
GS
= 1.0 M鈩?
Gate鈥揝ource Voltage
Drain Current 鈥?Continuous
Total Device Dissipation @ T
C
= 25擄C
Derate above 25擄C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
T
stg
T
J
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
胃JC
Value
65
65
鹵40
26
400
2.27
鈥?5 to +150
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
Max
0.44
Unit
擄C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25擄C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
(1)
Drain鈥揝ource Breakdown Voltage
(V
GS
= 0, I
D
= 50 mA)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0)
Gate鈥揝ource Leakage Current
(V
GS
= 20 V, V
DS
= 0)
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
65
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
2.5
1.0
Vdc
mAdc
碌A(chǔ)dc
(continued)
Handling and Packaging
鈥?MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 8
1

MRF175GV 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 10 : ￥1,853.48000托盤(pán)

  • -

  • 托盤(pán)

  • 在售

  • MOSFET

  • 2 N 溝道（雙）共源

  • 225MHz

  • 14dB

  • 28 V

  • 26A

  • -

  • 100 mA

  • 200W

  • 65 V

  • -

  • 375-04

  • 375-04，2 型

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠(chǎng)商
    下載
  • 英文版
    Bel Fuse Inc. [Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series]
    BEL
  • 英文版
    N.CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 400MHz 10.6dB ~ 14dB 5W 211-07,...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N.CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28VDC 25mA 400MHz 16dB 15W 211-07, Style...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28VDC 25mA 150MHz ~ 400MHz 7.7dB ~ 16dB ...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    Advanced Semiconductor [N-Channel Enhancement Mode VHF POWE...
    ASI
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
    MA-COM
  • 英文版
    N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF Mosfet N-Channel 28V 250mA 30MHz ~ 150MHz 6dB ~ 15dB 150W...

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