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MJD32CT4G

更新時間:2025-07-06 12:01:40

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
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MJD32CT4G外觀圖

MJD32CT4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD32CT4G 概述

MJD32CT4G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的達林頓晶體管，采用TO-220封裝。該器件包含一個NPN型達林頓對，集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO為100V，集電極最大電流IC為3A。其高電流增益特性使其非常適合驅(qū)動繼電器、螺線管和其他需要高電流的負載。MJD32CT4G常用于工業(yè)控制電路中作為開關(guān)或放大元件，在汽車電子、消費電子設(shè)備中也廣泛應(yīng)用。由于具有較高的電流增益和耐壓能力，特別適合設(shè)計緊湊型高效能功率驅(qū)動電路，但使用時需注意散熱設(shè)計以避免過熱損壞。

MJD32CT4G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.2V @ 375mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
10 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.56W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MJD32CT4GOSMJD32CT4GOS-NDMJD32CT4GOSTR

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