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MMJT350T1 Datasheet

  • MMJT350T1

  • Bipolar Power Transistors

  • 4頁

  • ONSEMI

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MMJT350T1
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
. . . designed for use in line鈭抩perated applications such as low
power, line鈭抩perated series pass and switching regulators requiring
PNP capability.
鈥?/div>
High Collector鈭扙mitter Sustaining Voltage 鈭?/div>
V
CEO(sus)
= 300 Vdc @ I
C
= 1.0 mAdc
鈥?/div>
Excellent DC Current Gain 鈭?/div>
h
FE
= 30 鈭?40 @ I
C
= 50 mAdc
鈥?/div>
Epoxy Meets UL94, V鈭? @ 0.125 in
鈥?/div>
ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V
Machine Model, C; > 400 V
http://onsemi.com
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
300 VOLTS
2.75 WATTS
C 2,4
B1
E3
Schematic
MARKING
DIAGRAM
SOT鈭?23
CASE 318E
Style 1
AYM
T350
T350
A
Y
M
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Last Digit of Year
= Month Code
4
C
B
1
C
2
E
3
Top View Pinout
ORDERING INFORMATION
Device
MMJT350T1
Package
SOT鈭?23
Shipping
1000 / Tape &
Reel
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
1
October, 2003 鈭?Rev. 1
Publication Order Number:
MMJT350T1/D

MMJT350T1 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 500mA

  • 300V

  • -

  • -

  • 30 @ 50mA，10V

  • 2.75W

  • -

  • 表面貼裝

  • TO-261-4，TO-261AA

  • SOT-223

  • 帶卷 (TR)

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