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IXTP2N100 Datasheet

  • IXTP2N100

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | T...

  • 4頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

High Voltage
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA 2N100
IXTP 2N100
V
DSS
= 1000 V
I
D25
=2A
R
DS(on)
= 7
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25擄C
Maximum Ratings
1000
1000
鹵20
鹵30
2
8
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
擄C
TO-220AB (IXTP)
GD
S
D (TAB)
TO-263 AA (IXTA)
G
S
D (TAB)
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
4
300
g
擄C
G = Gate,
S = Source,
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
D = Drain,
TAB = Drain
Features
聼
聼
聼
聼
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
聼
Fast switching times
Applications
聼
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
聼
Flyback inverters
聼
DC choppers
Advantages
聼
Space savings
聼
High power density
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1000
2
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
200
1
7.0
V
V
nA
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
97540A(5/98)
漏 2000 IXYS All rights reserved
1-4

IXTP2N100 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 1000V（1kV）

  • 2A

  • 7 歐姆 @ 1A，10V

  • 4.5V @ 250µA

  • 40nC @ 10V

  • 825pF @ 25V

  • 100W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS
  • 英文版
    High Voltage MOSFET
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
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