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IRF540NSTRLPBF

更新時間:2025-05-16 03:28:23

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產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IRF540NSTRLPBF外觀圖

IRF540NSTRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF540NSTRLPBF 概述

IRF540NSTRLPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下產(chǎn)品）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的平面條紋技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。該元件封裝在D2PAK中，適用于表面貼裝工藝。此MOSFET廣泛應用于各種電源管理電路中，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制以及不間斷電源系統(tǒng)等。其最大漏源電壓可達100V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達到33A。在實際應用時，需注意散熱設計以確保器件可靠工作。例如在電機驅(qū)動電路中，可通過并聯(lián)多個MOSFET來增加電流承載能力，同時搭配合適的柵極驅(qū)動電路以實現(xiàn)快速準確的開關(guān)動作。

IRF540NSTRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
44 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
71nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1960pF @ 25V
功率 - 最大
130W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF540NSTRLPBF-NDIRF540NSTRLPBFTR

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IRF510
IRF510A
IRF510PBF
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IRF510SPBF
IR2153

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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