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IRL620A Datasheet

  • IRL620A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
鈾?/div>
Logic-Level Gate Drive
鈾?/div>
Avalanche Rugged Technology
鈾?/div>
Rugged Gate Oxide Technology
鈾?/div>
Lower Input Capacitance
鈾?/div>
Improved Gate Charge
鈾?/div>
Extended Safe Operating Area
鈾?/div>
Lower Leakage Current: 10碌A(chǔ) (Max.) @ V
DS
= 200V
鈾?/div>
Lower R
DS(ON)
: 0.609鈩?(Typ.)
IRL620A
BV
DSS
= 200 V
R
DS(on)
= 0.8鈩?/div>
I
D
= 5 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25擄C)
Continuous Drain Current (T
C
=100擄C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25擄C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8
from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
Value
200
5
3.2
18
鹵20
33
5
3.9
5
39
0.31
- 55 to +150
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
3.17
--
62.5
擄C/W
Units
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation
1

IRL620A 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 200 V

  • +/- 20 V

  • 5 A

  • 0.8 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • Tube

  • 6 ns

  • 3.3 S

  • - 55 C

  • 39 W

  • 6 ns

  • 50

  • 24 ns

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF [Inter...

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